当社製品は、IGBTやFET、サイリスタなど大電力の半導体を使用しています。
このドライブ回路も社内設計しています。これらドライブ基板を紹介します。
ドライブ基板の提供や外販設計も行います。

項目 仕様 外観
 名称  TB-461 TB-461Bs
 出力  IGBT/FETゲートドライブ
 +15V/-10V 6チャンネル
 用途  フルブリッジ+チョッパ
 入力電圧  DC24V
 寸法  W260×D195×H35 (mm) 
 名称  TB-640 TB-640Bs
 出力  IGBT/FETゲートドライブ
 +15V/-10V 7チャンネル
 用途  三相モータドライブ(ブレーキ)付き
 入力電圧  DC24V
 寸法  W270×D190×H40 (mm) 
 名称  TB-649 TB-649As
 出力  IGBT/FETゲートドライブ
 +15V/-10V 12チャンネル
 用途  双方向三相コンバータ
 入力電圧  AC100V
 寸法  基板:W320×D200×H40 (mm)
 名称  TB-300 TB-300Bs
 出力  パルストランスによるサイリスタゲートドライブ
 パルストランス電圧22V 出力6チャンネル
 用途  三相サイリスタドライブ
 寸法  W240×D125×H30 (mm) 
 名称  TB-77 TB-77Cs
 出力  パルストランスによるサイリスタゲートドライブ
 パルストランス電圧22V 出力2チャンネル
 用途  単相サイリスタドライブ
 寸法  W90×D75×H25 (mm) 
 名称  TB-297 TB-297Cs
 出力  パルストランスによるFETドライブ
 FETも含んだ回路事例です
 寸法  W210×D140×H50 (mm)