パワー半導体のドライブ回路

当社製品は、IGBTやFET、サイリスタなど大電力の半導体を使用しています。
このドライブ回路も社内設計しています。これらドライブ基板を紹介します。
ドライブ基板の提供や外販設計も行います。

項目	仕様	外観
名称	TB-461
出力	IGBT/FETゲートドライブ　+15V/-10V 6チャンネル
用途	フルブリッジ＋チョッパ
入力電圧	DC24V
寸法	W260×D195×H35 (mm)
名称	TB-640
出力	IGBT/FETゲートドライブ　+15V/-10V 7チャンネル
用途	三相モータドライブ（ブレーキ）付き
入力電圧	DC24V
寸法	W270×D190×H40 (mm)
名称	TB-649
出力	IGBT/FETゲートドライブ　+15V/-10V 12チャンネル
用途	双方向三相コンバータ
入力電圧	AC100V
寸法	基板：W320×D200×H40 (mm)
名称	TB-300
出力	ﾊﾟﾙｽﾄﾗﾝｽによるｻｲﾘｽﾀｹﾞｰﾄﾄﾞﾗｲﾌﾞ　ﾊﾟﾙｽﾄﾗﾝｽ電圧22V 出力6チャンネル
用途	三相サイリスタドライブ（ドライブ基板単体の販売は致しておりません。※1）
寸法	W240×D125×H30 (mm)
名称	TB-77
出力	ﾊﾟﾙｽﾄﾗﾝｽによるｻｲﾘｽﾀｹﾞｰﾄﾄﾞﾗｲﾌﾞ　ﾊﾟﾙｽﾄﾗﾝｽ電圧22V 出力2チャンネル
用途	単相サイリスタドライブ（ドライブ基板単体の販売は致しておりません。※1）
寸法	W90×D75×H25 (mm)
名称	TB-297
出力	ﾊﾟﾙｽﾄﾗﾝｽによるFETﾄﾞﾗｲﾌﾞ　FETも含んだ回路事例です
寸法	W210×D140×H50 (mm)